NVD5805NT4G

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Numero parte NVD5805NT4G
LIXINC Part # NVD5805NT4G
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NVD5805NT4G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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NVD5805NT4G Specifiche

Numero parte:NVD5805NT4G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:51A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:9.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:80 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1725 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):47W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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