RJK0629DPE-00#J3 | Renesas Electronics America RJK0629DPE-00#J3 | RJK0629DPE-00#J3 Inventory, Best Pricing

RJK0629DPE-00#J3

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Numero parte	RJK0629DPE-00#J3
LIXINC Part #	RJK0629DPE-00#J3
Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 85A 4LDPAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	RJK0629DPE-00#J3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

RJK0629DPE-00#J3 Specifiche

Numero parte:	RJK0629DPE-00#J3
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Renesas Electronics America
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	85A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	85 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	4100 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	100W (Tc)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	4-LDPAK
pacchetto/caso:	SC-83

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