IRFR9N20DTRLPBF

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Numero parte IRFR9N20DTRLPBF
LIXINC Part # IRFR9N20DTRLPBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFR9N20DTRLPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
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IRFR9N20DTRLPBF Specifiche

Numero parte:IRFR9N20DTRLPBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9.4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:380mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:27 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:560 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):86W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D-Pak
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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