HAT2267H-EL-E

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Numero parte HAT2267H-EL-E
LIXINC Part # HAT2267H-EL-E
Produttore Renesas Electronics America
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD HAT2267H-EL-E Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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HAT2267H-EL-E Specifiche

Numero parte:HAT2267H-EL-E
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Renesas Electronics America
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:25A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:16mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2150 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):25W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:LFPAK
pacchetto/caso:SC-100, SOT-669

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