IRF630FP

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Numero parte IRF630FP
LIXINC Part # IRF630FP
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 200V 9A TO220FP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRF630FP Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IRF630FP Specifiche

Numero parte:IRF630FP
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:MESH OVERLAY™ II
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:400mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:700 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):30W (Tc)
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220FP
pacchetto/caso:TO-220-3 Full Pack

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