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Numero parte | CY7C1321KV18-250BZC |
LIXINC Part # | CY7C1321KV18-250BZC |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | DDR SRAM, 512KX36, 0.45NS, CMOS, |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | CY7C1321KV18-250BZC Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 21 - Oct 25 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | CY7C1321KV18-250BZC |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | - |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di memoria: | Volatile |
formato di memoria: | SRAM |
tecnologia: | SRAM - Synchronous, DDR II |
Dimensione della memoria: | 18Mb (512K x 36) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | 250 MHz |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | - |
tempo di accesso: | - |
tensione - alimentazione: | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 165-LBGA |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 165-FBGA (13x15) |
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In magazzino | 11021 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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