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Numero parte | MT57V1MH18EF-6 |
LIXINC Part # | MT57V1MH18EF-6 |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | DDR SRAM, 1MX18, 3NS, CMOS, PBGA |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | MT57V1MH18EF-6 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | MT57V1MH18EF-6 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | * |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di memoria: | - |
formato di memoria: | - |
tecnologia: | - |
Dimensione della memoria: | - |
interfaccia di memoria: | - |
frequenza di clock: | - |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | - |
tempo di accesso: | - |
tensione - alimentazione: | - |
temperatura di esercizio: | - |
tipo di montaggio: | - |
pacchetto/caso: | - |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | - |
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W97AH6KBVX2I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | 937 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 11371 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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