FP35R12W2T4PB11BPSA1 | IR (Infineon Technologies) FP35R12W2T4PB11BPSA1 | FP35R12W2T4PB11BPSA1 Inventory, Best Pricing

FP35R12W2T4PB11BPSA1

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Numero parte	FP35R12W2T4PB11BPSA1
LIXINC Part #	FP35R12W2T4PB11BPSA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - igbt - moduli
Descrizione	IGBT MOD 1200V 70A 20MW
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FP35R12W2T4PB11BPSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FP35R12W2T4PB11BPSA1 Specifiche

Numero parte:	FP35R12W2T4PB11BPSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - igbt - moduli
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	EasyPIM™ 2B
pacchetto:	Tray
stato della parte:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
configurazione:	Three Phase Inverter
tensione - guasto collettore emettitore (max):	1200 V
corrente - collettore (ic) (max):	70 A
potenza - max:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.2V @ 15V, 35A
corrente - taglio collettore (max):	1 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:	2 nF @ 25 V
ingresso:	Three Phase Bridge Rectifier
termistore ntc:	Yes
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C
tipo di montaggio:	Chassis Mount
pacchetto/caso:	Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:	Module

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FS150R12KE3GBOSA1	IGBT MOD 1200V 200A 695W	986 Maggiori informazioni su Ordine
FP10R12W1T4PBPSA1	IGBT MOD 1200V 20A 20MW	904 Maggiori informazioni su Ordine
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FS50R06YE3BOMA1	IGBT MODULE 600V 60A 160W	992 Maggiori informazioni su Ordine
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DF1000R17IE4DB2BOSA1	IGBT MODULE 1700V 6250W	1000 Maggiori informazioni su Ordine
APTGT100DU170TG	IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP4	846 Maggiori informazioni su Ordine
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NXH50C120L2C2ESG	IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG	820 Maggiori informazioni su Ordine