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Numero parte | NXH50C120L2C2ESG |
LIXINC Part # | NXH50C120L2C2ESG |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - igbt - moduli |
Descrizione | IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NXH50C120L2C2ESG Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NXH50C120L2C2ESG |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - igbt - moduli |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo igbt: | - |
configurazione: | Three Phase Inverter with Brake |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 1200 V |
corrente - collettore (ic) (max): | 50 A |
potenza - max: | 20 mW |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 2.4V @ 15V, 50A |
corrente - taglio collettore (max): | 250 µA |
capacità di ingresso (cies) @ vce: | 11.897 nF @ 20 V |
ingresso: | Three Phase Bridge Rectifier |
termistore ntc: | Yes |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto/caso: | 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm) |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 26-DIP |
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In magazzino | 10999 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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