FZ1200R12HE4PHPSA1

FZ1200R12HE4PHPSA1
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Numero parte FZ1200R12HE4PHPSA1
LIXINC Part # FZ1200R12HE4PHPSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MODULE 1200V 1825A
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FZ1200R12HE4PHPSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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FZ1200R12HE4PHPSA1 Specifiche

Numero parte:FZ1200R12HE4PHPSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo igbt:Trench Field Stop
configurazione:Single Switch
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):1825 A
potenza - max:-
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 1200A
corrente - taglio collettore (max):5 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:74 nF @ 25 V
ingresso:Standard
termistore ntc:No
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:Module

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