DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | IR (Infineon Technologies) DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | DF100R07W1H5FPB53BPSA2 Inventory, Best Pricing

DF100R07W1H5FPB53BPSA2

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Numero parte	DF100R07W1H5FPB53BPSA2
LIXINC Part #	DF100R07W1H5FPB53BPSA2
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - igbt - moduli
Descrizione	IGBT MOD 650V 40A 20MW
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	DF100R07W1H5FPB53BPSA2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

DF100R07W1H5FPB53BPSA2 Specifiche

Numero parte:	DF100R07W1H5FPB53BPSA2
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - igbt - moduli
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	EasyPACK™
pacchetto:	Tray
stato della parte:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
configurazione:	2 Independent
tensione - guasto collettore emettitore (max):	650 V
corrente - collettore (ic) (max):	40 A
potenza - max:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.55V @ 15V, 25A
corrente - taglio collettore (max):	40 µA
capacità di ingresso (cies) @ vce:	2.8 nF @ 25 V
ingresso:	Standard
termistore ntc:	Yes
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C
tipo di montaggio:	Chassis Mount
pacchetto/caso:	Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:	Module

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