RN1108(T5L,F,T)

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Numero parte RN1108(T5L,F,T)
LIXINC Part # RN1108(T5L,F,T)
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolari (bjt) - singoli, pre-polarizzati
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RN1108(T5L,F,T) Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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RN1108(T5L,F,T) Specifiche

Numero parte:RN1108(T5L,F,T)
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolari (bjt) - singoli, pre-polarizzati
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo a transistor:NPN - Pre-Biased
corrente - collettore (ic) (max):100 mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):50 V
resistenza - base (r1):22 kOhms
resistenza - base emettitore (r2):47 kOhms
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
corrente - taglio collettore (max):500nA
frequenza - transizione:250 MHz
potenza - max:100 mW
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SC-75, SOT-416
pacchetto del dispositivo del fornitore:SSM

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