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Numero parte | RN2108MFV,L3F |
LIXINC Part # | RN2108MFV,L3F |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - bipolari (bjt) - singoli, pre-polarizzati |
Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | RN2108MFV,L3F Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | RN2108MFV,L3F |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - bipolari (bjt) - singoli, pre-polarizzati |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Active |
tipo a transistor: | PNP - Pre-Biased |
corrente - collettore (ic) (max): | 100 mA |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 50 V |
resistenza - base (r1): | 22 kOhms |
resistenza - base emettitore (r2): | 47 kOhms |
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce: | 80 @ 10mA, 5V |
vce saturazione (max) @ ib, ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
corrente - taglio collettore (max): | 500nA |
frequenza - transizione: | - |
potenza - max: | 150 mW |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | SOT-723 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | VESM |
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In magazzino | 10847 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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