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Numero parte | NVDD5894NLT4G |
LIXINC Part # | NVDD5894NLT4G |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array |
Descrizione | N-CHANNEL, MOSFET |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NVDD5894NLT4G Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NVDD5894NLT4G |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | Automotive, AEC-Q101 |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
caratteristica del feto: | Standard |
tensione drain-source (vdss): | 40V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 14A (Ta), 64A (Tc) |
rds su (max) @ id, vgs: | 10mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 41nC @ 10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 2103pF @ 25V |
potenza - max: | 3.8W (Ta), 75W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | DPAK-5 |
IRF3575DTRPBF | IRF3575D - 20V-30V N-CHANNEL | 931 Maggiori informazioni su Ordine |
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TQM110NB04DCR RLG | 40V, 50A, DUAL N-CHANNEL POWER M | 5925 Maggiori informazioni su Ordine |
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UPA2751GR-E1-AT | POWER, N-CHANNEL MOSFET | 3346 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 13467 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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