NVDD5894NLT4G

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Numero parte NVDD5894NLT4G
LIXINC Part # NVDD5894NLT4G
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione N-CHANNEL, MOSFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NVDD5894NLT4G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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NVDD5894NLT4G Specifiche

Numero parte:NVDD5894NLT4G
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Rochester Electronics
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:2 N-Channel (Dual) Common Drain
caratteristica del feto:Standard
tensione drain-source (vdss):40V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:14A (Ta), 64A (Tc)
rds su (max) @ id, vgs:10mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:41nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2103pF @ 25V
potenza - max:3.8W (Ta), 75W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK-5

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