SQJ952EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQJ952EP-T1_GE3 | SQJ952EP-T1

SQJ952EP-T1_GE3

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Numero parte	SQJ952EP-T1_GE3
LIXINC Part #	SQJ952EP-T1_GE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SQJ952EP-T1_GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SQJ952EP-T1_GE3 Specifiche

Numero parte:	SQJ952EP-T1_GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:	Standard
tensione drain-source (vdss):	60V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	23A (Tc)
rds su (max) @ id, vgs:	20mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	30nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1800pF @ 30V
potenza - max:	25W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	PowerPAK® SO-8 Dual
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PowerPAK® SO-8 Dual

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