IPG20N04S408AATMA1

IPG20N04S408AATMA1
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Numero parte IPG20N04S408AATMA1
LIXINC Part # IPG20N04S408AATMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2N-CH 8TDSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPG20N04S408AATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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IPG20N04S408AATMA1 Specifiche

Numero parte:IPG20N04S408AATMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Standard
tensione drain-source (vdss):40V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A
rds su (max) @ id, vgs:7.6mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 30µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:36nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2940pF @ 25V
potenza - max:65W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount, Wettable Flank
pacchetto/caso:8-PowerVDFN
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TDSON-8-10

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