IGB50N65S5ATMA1

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Numero parte IGB50N65S5ATMA1
LIXINC Part # IGB50N65S5ATMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IGB50N65S5ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IGB50N65S5ATMA1 Specifiche

Numero parte:IGB50N65S5ATMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:TrenchStop™ 5
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo igbt:Trench Field Stop
tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
corrente - collettore (ic) (max):80 A
corrente - collettore pulsato (icm):200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:1.7V @ 15V, 50A
potenza - max:270 W
energia di commutazione:1.23mJ (on), 740µJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:120 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:20ns/139ns
condizione di test:400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):-
temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO263-3

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