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Numero parte | IGB50N65S5ATMA1 |
LIXINC Part # | IGB50N65S5ATMA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - igbt - singolo |
Descrizione | IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IGB50N65S5ATMA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IGB50N65S5ATMA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - igbt - singolo |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | TrenchStop™ 5 |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo igbt: | Trench Field Stop |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 650 V |
corrente - collettore (ic) (max): | 80 A |
corrente - collettore pulsato (icm): | 200 A |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 1.7V @ 15V, 50A |
potenza - max: | 270 W |
energia di commutazione: | 1.23mJ (on), 740µJ (off) |
tipo di ingresso: | Standard |
carica di cancello: | 120 nC |
td (acceso/spento) @ 25°c: | 20ns/139ns |
condizione di test: | 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V |
tempo di ripristino inverso (trr): | - |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-TO263-3 |
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In magazzino | 11736 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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