IKP08N65F5XKSA1

IKP08N65F5XKSA1
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Numero parte IKP08N65F5XKSA1
LIXINC Part # IKP08N65F5XKSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IKP08N65F5XKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IKP08N65F5XKSA1 Specifiche

Numero parte:IKP08N65F5XKSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:TrenchStop®
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo igbt:-
tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
corrente - collettore (ic) (max):18 A
corrente - collettore pulsato (icm):24 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 8A
potenza - max:70 W
energia di commutazione:70µJ (on), 20µJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:22 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:10ns/116ns
condizione di test:400V, 4A, 48Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):41 ns
temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-220-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220-3

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