NGB8206NTF4G

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Numero parte NGB8206NTF4G
LIXINC Part # NGB8206NTF4G
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NGB8206NTF4G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
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NGB8206NTF4G Specifiche

Numero parte:NGB8206NTF4G
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Rochester Electronics
serie:*
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo igbt:-
tensione - guasto collettore emettitore (max):390 V
corrente - collettore (ic) (max):20 A
corrente - collettore pulsato (icm):-
vce(on) (max) @ vge, ic:1.9V @ 4.5V, 20A
potenza - max:150 W
energia di commutazione:-
tipo di ingresso:Logic
carica di cancello:-
td (acceso/spento) @ 25°c:-
condizione di test:-
tempo di ripristino inverso (trr):-
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK

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