RGT50NS65DGC9

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Numero parte RGT50NS65DGC9
LIXINC Part # RGT50NS65DGC9
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RGT50NS65DGC9 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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RGT50NS65DGC9 Specifiche

Numero parte:RGT50NS65DGC9
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo igbt:Trench Field Stop
tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
corrente - collettore (ic) (max):48 A
corrente - collettore pulsato (icm):75 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 25A
potenza - max:194 W
energia di commutazione:-
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:49 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:27ns/88ns
condizione di test:400V, 25A, 10Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):58 ns
temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-262

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