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Numero parte | IRG8P50N120KD-EPBF |
LIXINC Part # | IRG8P50N120KD-EPBF |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - igbt - singolo |
Descrizione | IRG8P50N120 - DISCRETE IGBT WITH |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IRG8P50N120KD-EPBF Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IRG8P50N120KD-EPBF |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - igbt - singolo |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | - |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Obsolete |
tipo igbt: | - |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 1.2 V |
corrente - collettore (ic) (max): | 80 A |
corrente - collettore pulsato (icm): | 105 A |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 2V @ 15V, 35A |
potenza - max: | 350 W |
energia di commutazione: | 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) |
tipo di ingresso: | Standard |
carica di cancello: | 315 nC |
td (acceso/spento) @ 25°c: | 35ns/190ns |
condizione di test: | 600V, 35A, 5Ohm, 15V |
tempo di ripristino inverso (trr): | 170 ns |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto/caso: | TO-247-3 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-247AD |
TIG067SS-TL-2W | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 18758 Maggiori informazioni su Ordine |
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ISL9V2540S3ST | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 18993 Maggiori informazioni su Ordine |
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FGH40N60SFDTU-F085 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | 2088 Maggiori informazioni su Ordine |
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RGTV00TK65DGC11 | 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT | 1381 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 18465 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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