FGH25N120FTDS

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Numero parte FGH25N120FTDS
LIXINC Part # FGH25N120FTDS
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT 1200V 50A 313W TO247
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FGH25N120FTDS Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
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FGH25N120FTDS Specifiche

Numero parte:FGH25N120FTDS
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:*
pacchetto:TubeTube
stato della parte:Active
tipo igbt:Trench Field Stop
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):50 A
corrente - collettore pulsato (icm):75 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 25A
potenza - max:313 W
energia di commutazione:1.42mJ (on), 1.16mJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:169 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:26ns/151ns
condizione di test:600V, 25A, 10Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):535 ns
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-247-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247-3

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