HGTP5N120BND

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Numero parte HGTP5N120BND
LIXINC Part # HGTP5N120BND
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD HGTP5N120BND Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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HGTP5N120BND Specifiche

Numero parte:HGTP5N120BND
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Not For New Designs
tipo igbt:NPT
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):21 A
corrente - collettore pulsato (icm):40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 5A
potenza - max:167 W
energia di commutazione:450µJ (on), 390µJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:53 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:22ns/160ns
condizione di test:960V, 5A, 25Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):65 ns
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-220-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220-3

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