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Numero parte | HGTP5N120BND |
LIXINC Part # | HGTP5N120BND |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - igbt - singolo |
Descrizione | IGBT 1200V 21A 167W TO220AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | HGTP5N120BND Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | HGTP5N120BND |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - igbt - singolo |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Not For New Designs |
tipo igbt: | NPT |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 1200 V |
corrente - collettore (ic) (max): | 21 A |
corrente - collettore pulsato (icm): | 40 A |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 2.7V @ 15V, 5A |
potenza - max: | 167 W |
energia di commutazione: | 450µJ (on), 390µJ (off) |
tipo di ingresso: | Standard |
carica di cancello: | 53 nC |
td (acceso/spento) @ 25°c: | 22ns/160ns |
condizione di test: | 960V, 5A, 25Ohm, 15V |
tempo di ripristino inverso (trr): | 65 ns |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto/caso: | TO-220-3 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220-3 |
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In magazzino | 10859 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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