IGW75N65H5XKSA1

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Numero parte IGW75N65H5XKSA1
LIXINC Part # IGW75N65H5XKSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - singolo
Descrizione IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IGW75N65H5XKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IGW75N65H5XKSA1 Specifiche

Numero parte:IGW75N65H5XKSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - singolo
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:TrenchStop™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo igbt:Trench
tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
corrente - collettore (ic) (max):120 A
corrente - collettore pulsato (icm):300 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 75A
potenza - max:395 W
energia di commutazione:2.25mJ (on), 950µJ (off)
tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:160 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:28ns/174ns
condizione di test:400V, 75A, 8Ohm, 15V
tempo di ripristino inverso (trr):-
temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-247-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO247-3

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