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HUFA76429D3ST

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Numero parte	HUFA76429D3ST
LIXINC Part #	HUFA76429D3ST
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	HUFA76429D3ST Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 08 - Jul 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

HUFA76429D3ST Specifiche

Numero parte:	HUFA76429D3ST
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	UltraFET™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	20A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1.48 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	110W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-252AA
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SPU21N05L	N-CHANNEL POWER MOSFET	4692 Maggiori informazioni su Ordine
SI4156DY-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 24A 8SO	6222 Maggiori informazioni su Ordine
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