CSD25202W15T

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Numero parte CSD25202W15T
LIXINC Part # CSD25202W15T
Produttore Texas Instruments
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CSD25202W15T Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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CSD25202W15T Specifiche

Numero parte:CSD25202W15T
Marca:Texas Instruments
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Texas Instruments
serie:NexFET™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:26mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.05V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:7.5 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):-6V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1010 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):500mW (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:9-DSBGA
pacchetto/caso:9-UFBGA, DSBGA

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