PSMN085-150K,518

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Numero parte PSMN085-150K,518
LIXINC Part # PSMN085-150K,518
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PSMN085-150K,518 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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PSMN085-150K,518 Specifiche

Numero parte:PSMN085-150K,518
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:TrenchMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):150 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:85mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:40 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.31 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.5W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SO
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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