NVMFS5830NLWFT1G

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Numero parte NVMFS5830NLWFT1G
LIXINC Part # NVMFS5830NLWFT1G
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NVMFS5830NLWFT1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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NVMFS5830NLWFT1G Specifiche

Numero parte:NVMFS5830NLWFT1G
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:29A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:2.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:113 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5880 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN, 5 Leads

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