AUIRFN7107TR

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Numero parte AUIRFN7107TR
LIXINC Part # AUIRFN7107TR
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione AUTOMOTIVE POWER MOSFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD AUIRFN7107TR Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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AUIRFN7107TR Specifiche

Numero parte:AUIRFN7107TR
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:HEXFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):75 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:14A (Ta), 75A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:8.5mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:77 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3.001 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):4.4W (Ta), 125W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PQFN (5x6)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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