Solo per riferimento
Numero parte | FDPF10N50UT |
LIXINC Part # | FDPF10N50UT |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 8A TO220F |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | FDPF10N50UT Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | FDPF10N50UT |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | UniFET™ |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 500 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 8A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 1.05Ohm @ 4A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 24 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1.13 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 42W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220F |
pacchetto/caso: | TO-220-3 Full Pack |
IRFL9014TRPBF | MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 | 1293 Maggiori informazioni su Ordine |
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HUF75542P3_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 825 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 12920 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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