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Numero parte | SUG80050E-GE3 |
LIXINC Part # | SUG80050E-GE3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SUG80050E-GE3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 07 - Jul 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | SUG80050E-GE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | ThunderFET® |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 150 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 100A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 7.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 5.4mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 165 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 6250 pF @ 75 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 500W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-247AC |
pacchetto/caso: | TO-247-3 |
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In magazzino | 11167 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $5.39000 | $5.39 |
10 | $4.80939 | $48.0939 |
100 | $3.94378 | $394.378 |
500 | $3.19351 | $1596.755 |
1000 | $2.69333 | $2693.33 |
2500 | $2.55866 | $6396.65 |
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