SSM6J412TU,LF

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Numero parte SSM6J412TU,LF
LIXINC Part # SSM6J412TU,LF
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SSM6J412TU,LF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 07 - Jul 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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SSM6J412TU,LF Specifiche

Numero parte:SSM6J412TU,LF
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSVI
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:42.7mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:12.8 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:840 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
temperatura di esercizio:150°C
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:UF6
pacchetto/caso:6-SMD, Flat Leads

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