DMN10H170SFG-13

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Numero parte DMN10H170SFG-13
LIXINC Part # DMN10H170SFG-13
Produttore Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD DMN10H170SFG-13 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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DMN10H170SFG-13 Specifiche

Numero parte:DMN10H170SFG-13
Marca:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:122mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:14.9 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:870.7 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):940mW (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerDI3333-8
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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