IXFH11N80

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Numero parte IXFH11N80
LIXINC Part # IXFH11N80
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXFH11N80 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IXFH11N80 Specifiche

Numero parte:IXFH11N80
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:HiPerFET™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):800 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:950mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 4mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:155 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4200 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247AD (IXFH)
pacchetto/caso:TO-247-3

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