FDC655AN

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Numero parte FDC655AN
LIXINC Part # FDC655AN
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDC655AN Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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FDC655AN Specifiche

Numero parte:FDC655AN
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:PowerTrench®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6.3A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:27mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:830 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SuperSOT™-6
pacchetto/caso:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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