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Numero parte | STU13N65M2 |
LIXINC Part # | STU13N65M2 |
Produttore | STMicroelectronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 10A IPAK |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | STU13N65M2 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | STU13N65M2 |
Marca: | STMicroelectronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | STMicroelectronics |
serie: | MDmesh™ M2 |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 650 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 10A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 430mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 17 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±25V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 590 pF @ 100 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 110W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | IPAK (TO-251) |
pacchetto/caso: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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In magazzino | 13938 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.48000 | $1.48 |
75 | $1.20795 | $90.59625 |
150 | $1.09496 | $164.244 |
525 | $0.86898 | $456.2145 |
1050 | $0.73340 | $770.07 |
2550 | $0.68820 | $1754.91 |
5025 | $0.66560 | $3344.64 |
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