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Numero parte | STI150N10F7 |
LIXINC Part # | STI150N10F7 |
Produttore | STMicroelectronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | STI150N10F7 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | STI150N10F7 |
Marca: | STMicroelectronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | STMicroelectronics |
serie: | STripFET™ |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 100 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 110A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 4.2mOhm @ 55A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 117 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 8115 pF @ 50 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | I2PAK (TO-262) |
pacchetto/caso: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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In magazzino | 10826 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.24000 | $2.24 |
50 | $1.82867 | $91.4335 |
100 | $1.65766 | $165.766 |
500 | $1.31553 | $657.765 |
1000 | $1.11027 | $1110.27 |
2500 | $1.04186 | $2604.65 |
5000 | $1.00764 | $5038.2 |
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