SI5424DC-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI5424DC-T1-GE3 | SI5424DC-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI5424DC-T1-GE3

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Numero parte	SI5424DC-T1-GE3
LIXINC Part #	SI5424DC-T1-GE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SI5424DC-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SI5424DC-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:	SI5424DC-T1-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	6A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	24mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	32 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	950 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.5W (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	1206-8 ChipFET™
pacchetto/caso:	8-SMD, Flat Lead

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