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Numero parte | DMN30H4D0LFDE-7 |
LIXINC Part # | DMN30H4D0LFDE-7 |
Produttore | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | DMN30H4D0LFDE-7 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | DMN30H4D0LFDE-7 |
Marca: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 300 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 550mA (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 2.7V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 4Ohm @ 300mA, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.8V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 7.6 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 187.3 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 630mW (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | U-DFN2020-6 (Type E) |
pacchetto/caso: | 6-PowerUDFN |
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In magazzino | 20070 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.55000 | $0.55 |
3000 | $0.22458 | $673.74 |
6000 | $0.21160 | $1269.6 |
15000 | $0.19864 | $2979.6 |
30000 | $0.18956 | $5686.8 |
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