IPP80N06S4L07AKSA2

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Numero parte IPP80N06S4L07AKSA2
LIXINC Part # IPP80N06S4L07AKSA2
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione PFET, 80A I(D), 60V, 0.0064OHM,
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPP80N06S4L07AKSA2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IPP80N06S4L07AKSA2 Specifiche

Numero parte:IPP80N06S4L07AKSA2
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:80A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:6.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.2V @ 40µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:75 nC @ 10 V
vgs (massimo):±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5.68 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):79W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO220-3-1
pacchetto/caso:TO-220-3

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