STB36N60M6

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Numero parte STB36N60M6
LIXINC Part # STB36N60M6
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STB36N60M6 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 21 - Oct 25 2024(Scegli spedizione rapida)
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STB36N60M6 Specifiche

Numero parte:STB36N60M6
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:MDmesh™ M6
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:30A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:99mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.75V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:44.3 nC @ 10 V
vgs (massimo):±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1960 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):208W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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