STL18N60M2

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Numero parte STL18N60M2
LIXINC Part # STL18N60M2
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STL18N60M2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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STL18N60M2 Specifiche

Numero parte:STL18N60M2
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:MDmesh™ II Plus
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:308mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:21.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:791 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):57W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerFlat™ (5x6) HV
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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