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Numero parte | TK90S06N1L,LQ |
LIXINC Part # | TK90S06N1L,LQ |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TK90S06N1L,LQ Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | TK90S06N1L,LQ |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | U-MOSVIII-H |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 90A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 3.3mOhm @ 45A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.5V @ 500µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 81 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 5400 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 157W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-252-3 |
pacchetto/caso: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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In magazzino | 10821 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
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