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Numero parte | APTM100UM45DAG |
LIXINC Part # | APTM100UM45DAG |
Produttore | Roving Networks / Microchip Technology |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | APTM100UM45DAG Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | APTM100UM45DAG |
Marca: | Roving Networks / Microchip Technology |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Roving Networks / Microchip Technology |
serie: | POWER MOS 7® |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 1000 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 215A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 52mOhm @ 107.5A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 5V @ 30mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 1602 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 42700 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 5000W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Chassis Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SP6 |
pacchetto/caso: | SP6 |
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In magazzino | 10930 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $326.48000 | $326.48 |
10 | $310.72115 | $3107.2115 |
25 | $299.46353 | $7486.58825 |
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