FQI7N80TU

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Numero parte FQI7N80TU
LIXINC Part # FQI7N80TU
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FQI7N80TU Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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FQI7N80TU Specifiche

Numero parte:FQI7N80TU
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:QFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):800 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6.6A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:1.5Ohm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:52 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.85 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.13W (Ta), 167W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:I2PAK (TO-262)
pacchetto/caso:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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