NDD03N60Z-1G

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Numero parte NDD03N60Z-1G
LIXINC Part # NDD03N60Z-1G
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NDD03N60Z-1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida)
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NDD03N60Z-1G Specifiche

Numero parte:NDD03N60Z-1G
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.6A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:3.6Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 50µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:312 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):61W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:I-PAK
pacchetto/caso:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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