BUK7Y35-55B,115

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Numero parte BUK7Y35-55B,115
LIXINC Part # BUK7Y35-55B,115
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione PFET, 28.43A I(D), 55V, 0.035OHM
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BUK7Y35-55B,115 Impronta PCB e simbolo
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BUK7Y35-55B,115 Specifiche

Numero parte:BUK7Y35-55B,115
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:TrenchMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):55 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:28.43A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:35mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:13.1 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:781 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):60W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:LFPAK56, Power-SO8
pacchetto/caso:SC-100, SOT-669

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