NVF6P02T3G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVF6P02T3G

NVF6P02T3G

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Numero parte	NVF6P02T3G
LIXINC Part #	NVF6P02T3G
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NVF6P02T3G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NVF6P02T3G Specifiche

Numero parte:	NVF6P02T3G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Not For New Designs
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	10A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:	50mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1200 pF @ 16 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	8.3W (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	SOT-223 (TO-261)
pacchetto/caso:	TO-261-4, TO-261AA

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