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IRFD213

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Numero parte	IRFD213
LIXINC Part #	IRFD213
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRFD213 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRFD213 Specifiche

Numero parte:	IRFD213
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	250 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	450mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	-
rds su (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 270mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	8.2 nC @ 10 V
vgs (massimo):	-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	140 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	-
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
pacchetto/caso:	4-DIP (0.300", 7.62mm)

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