Solo per riferimento
Numero parte | BSZ900N20NS3GATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ900N20NS3GATMA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | BSZ900N20NS3GATMA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | BSZ900N20NS3GATMA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | OptiMOS™ |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 200 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 15.2A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 90mOhm @ 7.6A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 30µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 11.6 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 920 pF @ 100 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 62.5W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-TSDSON-8 |
pacchetto/caso: | 8-PowerTDFN |
FQP6N70 | 6.2A, 700V, 1.5OHM, N-CHANNEL, | 29336 Maggiori informazioni su Ordine |
|
IPD079N06L3GBTMA1 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | 838 Maggiori informazioni su Ordine |
|
MCPF05N80-BP | MOSFET N-CH 800V 5A TO220F | 1086 Maggiori informazioni su Ordine |
|
TJ10S04M3L(T6L1,NQ | MOSFET P-CH 40V 10A DPAK | 917 Maggiori informazioni su Ordine |
|
IPD65R600C6BTMA1 | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 3810 Maggiori informazioni su Ordine |
|
IRFB11N50APBF-BE3 | MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB | 1841 Maggiori informazioni su Ordine |
|
IRF7490TRPBF | MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO | 1407 Maggiori informazioni su Ordine |
|
FDMS8050 | MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN | 269296859 Maggiori informazioni su Ordine |
|
SCT3160KW7TL | TRANS SJT N-CH 1200V 17A TO263-7 | 1807 Maggiori informazioni su Ordine |
|
SPP80N06S-08 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2860 Maggiori informazioni su Ordine |
|
BSC120N03LSG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 2993 Maggiori informazioni su Ordine |
|
FDMC5614P | MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP | 970 Maggiori informazioni su Ordine |
|
AUIRFS8408-7TRL | MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK | 1028 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 23456 - Maggiori informazioni su Ordine |
---|---|
Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
Suggerimenti caldi: Si prega di compilare il modulo sottostante. Ti contatteremo il prima possibile.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.78000 | $1.78 |
5000 | $0.78578 | $3928.9 |
10000 | $0.76930 | $7693 |
Lixinc offrirà i prezzi più competitivi per te, fai riferimento alle quotazioni.
Non esitate a contattarci per i dettagli.